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TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 场效应管 MOSFET NP沟道 SSOTFMLP   模块配置:NP 晶体管极性:NP 漏极电流, Id 最大值:100mA 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):4ohm 电压 @ Rds测量:-4V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.1V 功耗:150mW 封装类型:ES6 封装类型:ES6 晶体管类型:Small Signal MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:0.1A 上海 0 新加坡 0 英国2093 1 1 删除