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TOSHIBA - SSM6N7002FU(TE85LF - 场效应管 MOSFET N沟道 0.2A 60V SOT23   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:NN 漏极电流, Id 最大值:200mA 电???, Vds 最大:60V 开态电阻, Rds(on):3ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 功耗:300mW 封装类型:US6 封装类型:US6 晶体管类型:Small Signal MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:60V 电流, Id 连续:0.2A 上海 0 新加坡 0 英国4930 1 1 删除