| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
操作 |
 | VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8 |
模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6.6A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
功耗:3.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:150°C
表面安装器件:表面安装
功耗, N沟道 1:1.1W
功耗, P沟道 1:1.1W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm
| 上海 0 新加坡 0 英国314 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - XTR101AP - 芯片 收发器 二线式接口 |
放大器数目:3
输入偏移电流:150nA
输出电流/通道:20mA
输入偏移电压:100μV
??模抑制比 (CMRR):100dB
电源电压范围:11.6V to 40V
封装类型:DIP
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
电源电压 最大:40V
电源电压 最小:11.6V
表面安装器件:通孔安装
接口类型:2 Wire
| 上海 0 新加坡 0 英国5 | 1 | 1 | | 删除 |
 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - MAX9792AETI+ - 芯片 音频放大器 D类 28TQFN |
通道数:2
功率输出:3.7W
电源电压范围:4.5V to 5.5V
总谐波失真(THD)+噪声:0.04% @ 500mW, 8ohm, VDD=5V
负载阻抗:3ohm
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TQFN
针脚数:28
封装类型:TQFN
功率, 有效值:3W
器件标号:9792
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
负载阻抗, 最小:3ohm
音频功率放大器类型:D类
| 上海 0 新加坡 0 英国147 | 1 | 1 | | 删除 |
 | INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8313PBF.. - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 9.7A SO8 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:9.7A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):15.5mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
功耗:2W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
封装类型:SOIC
晶体管类型:Power MOSFET
表面安装器件:表面安装
功率, Pd:2W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:9.7A
阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
| 无库存 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - XTR116U. - 芯片 环路电流发送器 4-20mA SOIC8 |
最大增益:100
带宽:380kHz
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
器件标号:116
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:7.5V
表面安装器件:表面安装
传感器 / 换能器类型:电流
封装类型:SOIC
精度:0.2%
静态电流:200μA
| 上海 0 新加坡225 英国 0 | 1 | 1 | | 删除 |
