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VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8   模块配置:NP 晶体管极性:NP 漏极电流, Id 最大值:6.6A 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):0.04ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V 功耗:3.1W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SO 封装类型:SO-8 晶体管类型:MOSFET 结温, Tj 最低:150°C 表面安装器件:表面安装 功耗, N沟道 1:1.1W 功耗, P沟道 1:1.1W 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V 最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V 最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V 漏极连续电流, Id N沟道:5.2A 漏极连续电流, Id P沟道:4.5A 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:40V 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm 上海 0 新加坡 0 英国314 1 1 删除
TEXAS INSTRUMENTS - XTR101AP - 芯片 收发器 二线式接口   放大器数目:3 输入偏移电流:150nA 输出电流/通道:20mA 输入偏移电压:100μV ??模抑制比 (CMRR):100dB 电源电压范围:11.6V to 40V 封装类型:DIP 针脚数:14 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:DIP 电源电压 最大:40V 电源电压 最小:11.6V 表面安装器件:通孔安装 接口类型:2 Wire 上海 0 新加坡 0 英国5 1 1 删除