我挑选的商品

图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量 操作
SANYO - FTD2011A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A TSSOP8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:4A 电压, Vds 最大:20V 开态??阻, Rds(on):39mohm 电压 @ Rds测量:4V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 功耗:1.3W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TSSOP 封装类型:TSSOP 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:4A 上海 0 新加坡 0 英国90 1 1 删除