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SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:6A 电压, Vds 最大:30V 开态??阻, Rds(on):26mohm 电压 @ Rds测量:4V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 功耗:1.4W 封装类型:TSSOP 封装类型:TSSOP 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:6A 上海 0 新加坡 0 英国65 1 1 删除