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SANYO - ECH8664R-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 7A ECH8   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:7A 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):23.5mohm 电压 @ Rds测量:4.5V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 功耗:1.4W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ECH8 封装类型:ECH8 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:7A 上海 0 新加坡 0 英国100 1 1 删除