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STMICROELECTRONICS - VNS3NV04D-E - 场效应管 功率MOSFET 自动保护 8-SOIC   晶体管极性:Dual N Channel 开态电阻, Rds(on):120mohm 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOIC 封装类型:SOIC 晶体管类型:Power MOSFET 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:45V 电流, Id 连续:1.5A 表面安装器件:表面安装 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V 上海 0 新加坡 0 英国270 1 1 删除