 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS8958 - 双MOSFET NP SO-8 |
晶体管极性:N与P沟道
漏极电流, Id 最大值:5.3A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
功耗:2W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOIC
针脚数:8
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
SMD标号:NDS8958
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
功率, Pd:1.6W
功耗, N沟道 1:2W
功耗, P沟道 1:2W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:2.8V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:2.8V
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏极连续电流, Id N沟道(1):5.3A
漏极连续电流, Id P沟道:4A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds N沟道 1:30V
电压, Vds P沟道 1:30V
电压, Vds 典型值:30V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:4A
电流, Idm 脉冲:15A
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