 | VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 双MOSFET NP SO-8 |
晶体管极性:N+P 沟道
漏极电流, Id 最大值:4.5A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.1ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:2.4W
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:SOIC
针脚数:8
外宽:6.2mm
外部深度:5.26mm
外部长度/高度:1.2mm
封装类型:SOIC
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:-55°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:19nC
P沟道栅极电荷 Qg:16nC
功率, Pd:2.4W
最高电压, Vds P沟道:60V
漏极连续电流, Id N沟道(1):4.5A
漏极连续电流, Id P沟道:3.1A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:60V
电压, Vds 典型值:60V
电压, Vgs 最高:20V
电流, Id 连续:3.1A
电流, Idm 脉冲:30A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.055ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.075ohm
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