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NXP - PMGD8000LN - 场效应管 MOSFET 双 NN SOT-363   模块配置:Dual N Channel 晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:125mA 电压, Vds 最大:30V 开态电阻, Rds(on):8ohm 电压 @ Rds测量:4V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V 功耗:0.2W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:SOT-363 针脚数:6 封装类型:SOT-363 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 上升时间:7ns 下降时间:7ns 功率, Pd:0.2W 时间, t off:15ns 时间, t on:10ns 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V 电压, Vds 典型值:30V 电流, Id 连续:0.125A 电流, Idm 脉冲:0.25A 通态电阻, Rds on 最大:8ohm 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V 上海 0 新加坡 0 英国4137 1 5 删除