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NXP - PHKD6N02LT - 场效应管 MOSFET N SO-8   晶体管极性:N沟道 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):20mohm 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V 功耗:4.17W 封装类型:SOIC 针脚数:8 外宽:4.05mm 外部深度:5.2mm 外部长度/高度:1.75mm 封装类型:SOIC 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 SMD标号:PHKD6N02LT 功率, Pd:4.17W 排距:6.3mm 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V 电压, Vds 典型值:20V 电流, Id 连续:10.9A 电流, Idm 脉冲:44A 停产 1 1 删除