 | NXP - PMWD16UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8 |
晶体管极性:Dual N Channel
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.019ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
封装类型:TSSOP
封装类型:TSSOP
晶体管数:2
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
SMD标号:16UN
功率, Pd:3.1W
器件标号:4
电压, Vgs 最高:10V
电容值, Ciss 典型值:1366pF
电流, Id 连续:9.9A
电流, Idm 脉冲:39.5A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
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