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LQP11A1N8C00T1   原装 现货   面议 删除
NXP - PMWD26UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8   晶体管极性:N 电压, Vds 最大:20V 开态电阻, Rds(on):0.03ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V 封装类型:TSSOP 封装类型:TSSOP 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5) SMD标号:26UN 功率, Pd:3.1W 器件标号:4 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:20V 电压, Vgs 最高:10V 电容值, Ciss 典型值:1366pF 电流, Id 连续:7.8A 电流, Idm 脉冲:31.3A 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.04ohm 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm 上海 0 新加坡 0 英国2329 1 1 删除