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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INFINEON - SPW47N65C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:47A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.065ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:415W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:47A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW24N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:21.7A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.185ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:240W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:21.7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡8
英国 0 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW16N50C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:16A
电压, Vds 最大:560V
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
电压 @ Rds测??:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:160W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:560V
电流, Id 连续:16A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡30
英国36 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW15N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:13.4A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.33ohm
电压 @ Rds测??:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:156W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:13.4A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国56 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPW07N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-247 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:6.6A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.7ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:83W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-247
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:6.6A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国60 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPU03N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:3.2A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):1.4ohm
电压 @ Rds测??:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:38W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:3.2A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPU02N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPS04N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:4.5A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.95ohm
电压 @ Rds测???:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:50W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:4.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国228 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPS03N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:3.2A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):1.4ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:38W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:3.2A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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无库存 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPS02N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1.8A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):3ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:25W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:1.8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国108 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPS01N60C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-251 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:800mA
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):6ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:11W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-251
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-251
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:0.8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP24N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:21.7A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.185ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:240W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:21.7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡 0
英国30 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP20N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:20.7A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.22ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:208W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:20.7A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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上海 0
新加坡10
英国88 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP15N65C3 - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:15A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:156W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:15A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
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上海 0
新加坡 0
英国28 |
1 |
1 |
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INFINEON - SPP15N60CFD - 场效应管 MOSFET N沟道 TO-220 |
晶体管极性:N Channel
漏极电流, Id 最大值:13.4A
电压, Vds 最大:650V
开态电阻, Rds(on):0.33ohm
电压 @ Rds???量:10V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:156W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:13.4A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
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无库存 |
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