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  • 2SK2399(SM)
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
  • 5页
  • 314K
  • 2
  • 2SK2399
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
  • 5页
  • 314K
  • 3
  • 2SK2398
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
  • 5页
  • 312K
  • 4
  • 2SK2397-01MR
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • Power MOSFET
  • 11页
  • 241K
  • 5
  • 2SK2395
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • N-Channel Junction Silicon FET
  • 3页
  • 96K
  • 6
  • 2SK2394
  • Sanyo Semiconductor Corporation
  • N-Channel Junction Silicon FET
  • 3页
  • 111K
  • 7
  • 2SK2393
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon N-Channel MOS FET
  • 8页
  • 53K
  • 8
  • 2SK2391
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Power (L, 2)-Pi-MOS V)
  • 5页
  • 314K
  • 9
  • 2SK2390
  • Renesas Technology America, Inc.
  • Silicon N-Channel MOS FET
  • 9页
  • 64K
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