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  • 2SK899
  • High Voltage Power Systems, Inc.
  • N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
  • 4页
  • 135K
  • 2
  • 2SK899
  • Fuji Semiconductor, Inc. (FSI)
  • N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
  • 4页
  • 133K
  • 3
  • 2SK897-MR
  • Fuji Electric Holdings Co., Ltd.
  • N-Channel Silicon Power MOSFET
  • 3页
  • 179K
  • 4
  • 2SK882
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
  • 4页
  • 199K
  • 5
  • 2SK881
  • Toshiba America, Inc.
  • Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
  • 4页
  • 2711K
  • 6
  • 2SK880
  • Toshiba America, Inc.
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
  • 3页
  • 198K
  • 7
  • 2SK879
  • Toshiba America, Inc.
  • FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE
  • 4页
  • 214K
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