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  • KMM5368003BSWG-6
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad Inverted CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
  • 18页
  • 360K
  • 2
  • KMM5368003BSWG-5
  • Samsung Semiconductor, Inc.
  • 8M x 36 DRAM SIMM Using 4Mx16 & Quad Inverted CAS 4Mx4, 4K Refresh, 5V
  • 18页
  • 360K
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