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  • MTB6N60ET4
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET High Energy Power FET D 2 PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
  • 10页
  • 192K
  • 2
  • MTB6N60E1
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET High Energy Power FET D2PAK-SL Straight Lead
  • 8页
  • 160K
  • 3
  • MTB6N60E
  • ON Semiconductor
  • TMOS E-FET High Energy Power FET D 2 PAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
  • 10页
  • 192K
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