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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SILICON STORAGE TECHNOLOGY - SST39SF010A-70-4C-WHE - 芯片 1Mb 闪存 4KB扇区 |
存储器类型:Flash, NOR
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
接口:Parallel
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:TSOP
针脚数:32
工作温度范围:0°C to + 70°C
封装类型:TSOP
存储器容量:1Mbit
工作温度最低:0°C
工作温度最高:+70°C
扇区类型:一致
接口类型:Parallel
电压范围:4.5 - 5.5 V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
访问时间:70ns
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上海 0
新加坡 0
英国395 |
1 |
1 |
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SILICON STORAGE TECHNOLOGY - SST39SF010A-70-4C-NHE - 芯片 1Mb 闪存 4KB扇区 |
存储器类型:Flash, NOR
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
接口:Parallel
电源电压范围:4.5V to 5.5V
封装类型:PLCC
针脚数:32
工作温度范围:0°C to + 70°C
封装类型:PLCC
存储器容量:1Mbit
工作温度最低:0°C
工作温度最高:+70°C
扇区类型:一致
接口类型:Parallel
电压范围:4.5 - 5.5 V
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:4.5V
表面安装器件:表面安装
访问时间:70ns
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上海 0
新加坡9
英国80 |
1 |
1 |
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FUJITSU - MB85R1002PFTN-GE1 - 芯片 FRAM 1MB |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:64K x 16bit
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:3V to 3.6V
封装类型:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:TSOP
器件标号:85
存储器容量:1Mbit
存储器类型:FRAM
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:85R1002
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:85R1002
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停产 |
1 |
1 |
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FUJITSU - MB85R1001PFTN-GE1 - 芯片 FRAM 1MB |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:128K x 8bit
接口:Parallel
访问时间:100ns
电源电压范围:3V to 3.6V
封装类???:TSOP
针脚数:48
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:TSOP
器件标号:85
存储器容量:1Mbit
存储器类型:FRAM
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:85R1001
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:85R1001
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上海 0
新加坡 0
英国161 |
1 |
1 |
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FUJITSU - MB85R256PFTN-G-BNDE1 - 芯片 FRAM 256K SPI |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
接口:Parallel
访问时间:150ns
电源电压范围:3V to 3.6V
封装类型:TSOP
针脚数:28
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
器件标号:85
存储器容量:256Kbit
存储器类型:FRAM
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Parallel
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:85R256
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:85RS256
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上海 0
新加坡8
英国 0 |
1 |
1 |
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FUJITSU - MB85RS256PNF-G-JNE1 - 芯片 FRAM 256K SPI |
存储器容量:256Kbit
存储器配置:32K x 8bit
接口:Serial, SPI
时钟频率:15MHz
电源电压范围:3V to 3.6V
封装类型:SOP
针脚数:8
工作温度范围:-20°C to +85°C
封装类型:SOP
器件标号:85
存储器容量:256Kbit
存储器类型:FRAM
工作温度最低:-20°C
工作温度最高:+85°C
接口类型:Serial, SPI
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:85RS256
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:85RS256
频率:15MHz
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S32800B-7TL - 芯片 SDRAM - 8M x 32位 3V 143MHZ |
存储器类型:SDRAM
存储器配置:8M x 32bit
访问时间:7ns
接口类型:Parallel, LVTTL
封装类型:TSOP
针脚数:86
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:42
存储器容量:256Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:42S32800B
表面安装器件:表面安装
访问时间, Trac:5.5ns
逻辑功能号:42S32800B
频率:143MHz
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S16160B-7TL - 芯片 SDRAM - 16M x 16位 3V 143MHZ |
存储器类型:SDRAM
存储器配置:16M x 16bit
访问时间:7ns
接口类型:Parallel
封装类型:TSOP
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:42
存储器容量:256Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:42S16160B
表面安装器件:表面安装
访问时间, Trac:6.5ns
逻辑功能号:42S16160B
频率:143MHz
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S32200C1-7TL - 芯片 SDRAM - 2M x 32位 3V 143MHZ |
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 32bit
访问时间:7ns
封装类型:TSOP
针脚数:86
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:42
存储器容量:64Mb
芯片标号:42S32200C1
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:42S32200C1
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S16400D-7TL - 芯片 SDRAM - 4M x 16位 3V 143MHZ |
存储器类型:SDRAM
存储器配置:4M x 16bit
访问时间:7ns
接口类型:Parallel, LVTTL
封装类型:TSOP
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:42
存储器容量:64Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:42S16400D
表面安装器件:表面安装
访问时间, Trac:9ns
逻辑功能号:42S16400D
频率:143MHz
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S16100C1-7TL - 芯片 SDRAM - 1M x 16位 3V 143MHZ |
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 16bit
访问时间:7ns
接口类型:Parallel, LVTTL
封装类型:TSOP
针脚数:50
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:42
存储器容量:16Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:3V
芯片标号:42S16100C1
表面安装器件:表面安装
访问时间, Trac:6ns
逻辑功能号:42S16100C1
频率:143MHz
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上海 0
新加坡 0
英国32 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS62WV51216BLL-55TLI - 芯片 SRAM - 512K X 16 3V |
存储器容量:8Mbit
存储器配置:512K x 16bit
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
针脚数:44
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:62
存储器容量:8Mbit
存储器类型:SRAM
芯片标号:62WV51216BLL
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:62WV51216BLL
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美国 0
上海 0
美国119
新加坡1
英国 0 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS62WV5128BLL-55T2LI - 芯片 SRAM - 512K X 8 3V |
存储器配置:512K x 8bit
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
针脚数:32
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:62
存储器容量:4Mbit
存储器类型:SRAM
芯片标号:62WV5128BLL
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:62WV5128BLL
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS62WV25616BLL-55TLI - 芯片 SRAM - 256K X 16 3V |
存储器容量:4Mbit
存储器配置:256K x 16bit
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
针脚数:44
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:62
存储器容量:4Mbit
存储器电压, Vccq:3.6V
存储器类型:SRAM
接口类型:Parallel, TTL
电源电压 最大:3.6V
电源电压 最小:2.5V
芯片标号:62WV25616BLL
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:62WV25616BLL
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无库存 |
1 |
1 |
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INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS61LV6416-10TLI - 芯片 SRAM - 64K X 16 3V |
存储器容量:1Mbit
存储器配置:64K x 16bit
访问时间:10ns
电源电压范围:3.135V to 3.63V
封装类型:TSOP
针脚数:44
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOP
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
器件标号:61
存储器容量:1Mbit
存储器电压 Vcc:3.3V
存储器电压, Vccq:3.3V
存储器类型:SRAM
接口类型:Asynchronous
电源电压 最大:3.63V
电源电压 最小:3.135V
芯片标号:61LV6416
表面安装器件:表面安装
逻辑功能号:61LV6416
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无库存 |
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