最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2802-TR1G - 双肖特基二极管 RF SOT-23 AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2802-TR1G - 双肖特基二极管 RF SOT-23
  • 二极管配置:1 Pair Series Connection
  • 电压, Vr 最高:70V
  • 正向电流 If:1A
  • 正向电压, 于If:0.41V
  • 总电容 Ct 最大值:2pF
  • 封装形式:SOT-23
  • 针脚数:3
  • 二极管类型:RF Schottky
  • 反向电流, Ir 最大值:10μA
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 正向电压 Vf 最大:410mV
  • 热电容值, Ct:2pF
  • 电压, Vrrm:70V
  • 电流, If 平均:1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:A2
  • 击穿电压:70V
  • 最大功耗:250mW
  • 上海75
    新加坡88
    英国1921
    1 1 询价,无需注册 订购
    AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2820-TR1G - 肖特基二极管 RF SOT-23 AVAGO TECHNOLOGIES - HSMS-2820-TR1G - 肖特基二极管 RF SOT-23
  • 二极管配置:单
  • 电压, Vr 最高:15V
  • 正向电流 If:1A
  • 正向电压, 于If:0.34V
  • 总电容 Ct 最大值:1pF
  • 封装形式:SOT-23
  • 针脚数:3
  • 二极管类型:RF Schottky
  • 反向电流, Ir 最大值:0.1μA
  • 封装类型:SOT-23
  • 带子宽度:8mm
  • 正向电压 Vf 最大:340mV
  • 热电容值, Ct:1pF
  • 电压, Vrrm:15V
  • 电流, If 平均:1A
  • 电流, Ifs 最大:1A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:a
  • SMD标号:C0
  • 击穿电压:15V
  • 上海50
    新加坡60
    英国3194
    1 1 询价,无需注册 订购
    AVAGO TECHNOLOGIES - HSMP-3810-TR1G - 二极管 RF PIN SOT-23 AVAGO TECHNOLOGIES - HSMP-3810-TR1G - 二极管 RF PIN SOT-23
  • 二极管串联电阻 Rs:3ohm
  • 二极管类型:射频
  • 器件标记:E0
  • 封装类型:SOT-23
  • 总电容 Ct 最大值:0.35pF
  • 电压 Vbr:100V
  • 电阻上限 Rh 最小:1500ohm
  • 电阻下限 Rl 最大:10ohm
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚数:3
  • 封装形式:SOT-23
  • 上海30
    新加坡3
    英国1572
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2804APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN TOSHIBA - ULN2804APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN
  • 模块配置:8 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:760mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工作温??范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:PDIP
  • 针脚数:18
  • 器件标记:ULN2804AP
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:8
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:2804
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2804
  • 输入电压 最大:15V
  • 输入电压 最小:6V
  • 输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:CMOS
  • 通道数:8
  • 逻辑功能号:2804
  • 上海 0
    新加坡149
    英国610
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2803APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN TOSHIBA - ULN2803APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN
  • 模块配置:8 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:760mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工作温??范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:PDIP
  • 针脚数:18
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:8
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:2803
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2803
  • 输入电压 最大:30V
  • 输入类型:TTL, CMOS 5V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:TTL / CMOS
  • 通道数:8
  • 逻辑功能号:2803
  • 上海1513
    新加坡 0
    英国11475
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2004APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN TOSHIBA - ULN2004APG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN
  • 模块配置:7 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:760mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工作温??范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:PDIP
  • 针脚数:16
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:7
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:2004
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2004
  • 输入电压 最大:15V
  • 输入电压 最小:6V
  • 输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:集电极开路
  • 通道数:7
  • 逻辑功能号:2004
  • 上海330
    新加坡37
    英国510
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2004AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN TOSHIBA - ULN2004AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN
  • 模块配置:7 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:650mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工??温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:16
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:7
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:2004
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2004
  • 输入电压 最大:15V
  • 输入电压 最小:6V
  • 输入类型:CMOS, PMOS 6/15V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:集电极开路
  • 通道数:7
  • 逻辑功能号:2004
  • 上海 0
    新加坡3
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2003APG(SCM) - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN TOSHIBA - ULN2003APG(SCM) - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 针脚数:16
  • 器件标记:ULN2003AP
  • 封装类型:DIP
  • 晶体管数:7
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 器件标号:2003
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2003
  • 输入电压 最大:5V
  • 输入类型:TTL, CMOS 5V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:集电极开路
  • 通道数:7
  • 逻辑功能号:2003
  • 上海198
    新加坡32
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2003AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN TOSHIBA - ULN2003AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 7NPN
  • 模块配置:7 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:650mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工??温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:16
  • 器件标记:ULN2003AF
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:7
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:2003
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2003
  • 输入电压 最大:5V
  • 输入类型:TTL, CMOS 5V
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 输出类型:集电极开路
  • 通道数:7
  • 逻辑功能号:2003
  • 上海670
    新加坡67
    英国478
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2804AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN TOSHIBA - ULN2804AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN
  • 模块配置:8 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:1.31W
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工??温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:18
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:8
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:2803
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2803
  • 输入电压 最大:40V
  • 输入电压 最小:0.5V
  • 输入类型:逻辑
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 通道数:8
  • 逻辑功能号:2803
  • 上海100
    新加坡15
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    TOSHIBA - ULN2803AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN TOSHIBA - ULN2803AFWG - 芯片 达林顿晶体管阵列 8NPN
  • 模块配置:8 NPN
  • 晶体管极性:NPN
  • 电压, Vceo:50V
  • 功耗, Pd:480mW
  • 直流电流增益 hFE:1000
  • 工??温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:18
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:8
  • 晶体管类型:功率达林顿
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:2803
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 芯片标号:2803
  • 输入电压 最大:30V
  • 输入电压 最小:0.5V
  • 输入类型:逻辑
  • 输出电压 最大:50V
  • 输出电流 最大:500mA
  • 通道数:8
  • 逻辑功能号:2803
  • 上海382
    新加坡315
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
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