最小功率增益 Gp

  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 175MHz
  • 500MHz

最大功耗

  • 62.5W
  • 68W
  • 3W
  • 31.25W
  • 880W
  • 1.18kW
  • 73W
  • 590W
  • 220W
  • 1.5W
  • 560W
  • 6W
  • 600W
  • 200mW
  • 200W
  • 180W
  • 315W
  • 470W
  • 500W
  • 300W
  • 14W
  • 16W
  • 52.8W

针脚数

  • 3
  • 8

噪声

  • 5.5dB
  • 1dB
  • 2dB

增益

  • 13dB
  • 10dB
  • 15dB
  • 14dB

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • 5V
  • 4.5V
  • 3V
  • 1.2V
  • 4.25V
  • 4V
  • 5.5V
  • 6.5V
  • 4.95V

应用代码

  • RFPOWMOS
  • 双门HFMOSFET

通态电阻, Rds on 最大

  • 0.3ohm
  • 0.75ohm
  • 5ohm
  • 1.5ohm

输出功率

  • 1.5W
  • 3W
  • 8W

上升时间

  • 18ns
  • 12ns
  • 4ns
  • 2ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 20ns
  • 5ns
  • 16ns

满功率温度

  • 70°C
  • 25°C
  • 70°C

漏极电流, Id 最大值

  • 18A
  • 6A
  • 1A

开态电阻, Rds(on)

  • 1.5ohm
  • 0.4ohm
  • 0.6ohm
  • 1ohm
  • 0.75ohm
  • 0.2ohm
  • 0.8ohm
  • 1.05ohm
  • 0.44ohm
  • 0.085ohm
  • 0.19ohm
  • 1.9ohm
  • 0.08ohm
  • 0.25ohm
  • 0.12ohm
  • 2.1ohm
  • 0.5ohm
  • 3.3ohm
  • 0.3ohm
  • 0.39ohm

结温, Tj 最高

  • 200°C
  • 150°C

截止频率 ft, 典型值

  • 32MHz
  • 175MHz
  • 28MHz

晶体管极性

  • N Channel
  • N
  • 双 N
  • N沟道

晶体管类型

  • RF FET
  • MOSFET
  • RF MOS
  • HF-VHF功率 MOS

晶体管数

  • 1
  • 2

功耗

  • 500W
  • 68W
  • 62.5W
  • 62.5mW
  • 31.25W
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
STMICROELECTRONICS - PD55015-E - 场效应管 MOSFET RF 15W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD55015-E - 场效应管 MOSFET RF 15W 500MHZ
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 最大功耗:73W
  • 封装类型:PowerSO-10RF
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:73W
  • 封装类型:PowerSO-10RF
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:12.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 上海 0
    新加坡3
    英国126
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD54008-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54008-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ
  • ???体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 封装类型:PowerSO-10RF (Formed Lead)
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:73W
  • 封装类型:PowerSO-10RF
  • 满功率温度:70°C
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD54003-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54003-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:52.8W
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:PowerSO-10RF
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:52.8W
  • 封装类型:PowerSO-10RF
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:7.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123 NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123
  • 晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
  • 电压, Vds 最大:65V
  • 电流, Id 连续:1A
  • 最大功耗:16W
  • 噪声:5.5dB
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:175MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 功率, Pd:5W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
  • 效率:50%
  • 最小功率增益 Gp:13dB
  • 漏极电流, Id 最大值:1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
  • 电压, Vds 典型值:28V
  • 电容值, Ciss 典型值:13pF
  • 电流, Idm 脉冲:1A
  • 电流, Idss 最大:0.01mA
  • 负载功率:16W
  • 通态电阻, Rds on 最大:5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
  • 上海 0
    新加坡2
    英国74
    1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BF998 - 场效应管 MOSFET N RF 双栅极 SOT-143 NXP - BF998 - 场效应管 MOSFET N RF 双栅极 SOT-143
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 电流, Id 连续:30mA
  • 最大功耗:200mW
  • 噪声:1dB
  • 封装类型:SOT-143
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 功率, Pd:200mW
  • 封装类型:SOT-143
  • 应用代码:双门HFMOSFET
  • 总功率, Ptot:200mW
  • 最小正向跨导 Gfs:21mA/V
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电流, Idss 最大:18mA
  • 电流, Idss 最小:2mA
  • 上海 0
    新加坡120
    英国12195
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT12N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 最大功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-268
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-268
  • 开态电阻, Rds(on):1.05ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:2700pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT28N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:28A
  • 最大功耗:315W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-268
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:13ns
  • 功率, Pd:315W
  • 封装类型:TO-268
  • 开态电阻, Rds(on):0.19ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:3000pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国24
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFK24N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK24N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:24A
  • 最大功耗:560W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-264
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:18ns
  • 功率, Pd:560W
  • 封装类型:TO-264
  • 开态电阻, Rds(on):0.39ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:6600pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国34
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK21N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:21A
  • 最大功耗:500W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-264
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:16ns
  • 功率, Pd:500W
  • 封装类型:TO-264
  • 开态电阻, Rds(on):0.5ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国5
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFK55N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK55N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:55A
  • 封装类型:TO-264
  • 晶体管极性:N Channel
  • 上升时间:20ns
  • 功率, Pd:560W
  • 封装类型:TO-264
  • 开态电阻, Rds(on):0.085ohm
  • 电容值, Ciss 典型值:6700pF
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK44N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:44A
  • 最大功耗:500W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-264
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:18ns
  • 功率, Pd:500W
  • 封装类型:TO-264
  • 开态电阻, Rds(on):0.12ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国39
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):1.9ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:21A
  • 最大功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:12ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:2600pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国144
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:12A
  • 最大功耗:180W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 最大功耗:300W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 电流, Idm 脉冲:40A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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