NXP - BF998 - 场效应管 MOSFET N RF 双栅极 SOT-143
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BF998
库存状态：上海 0 , 新加坡120, 英国12195
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.54
价格：
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制造商编号：BF998
库存状态：上海 0 , 新加坡120, 英国12195
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.54
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 5.54 |
| 25 - 99 | CNY 4.00 |
| 100 - 249 | CNY 2.73 |
| 250+ | CNY 1.78 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:12V
- 电流, Id 连续:30mA
- 最大功耗:200mW
- 噪声:1dB
- 封装类型:SOT-143
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:200mW
- 封装类型:SOT-143
- 应用代码:双门HFMOSFET
- 总功率, Ptot:200mW
- 最小正向跨导 Gfs:21mA/V
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Idss 最大:18mA
- 电流, Idss 最小:2mA
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:12V
- 电流, Id 连续:30mA
- 最大功耗:200mW
- 噪声:1dB
- 封装类型:SOT-143
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:200mW
- 封装类型:SOT-143
- 应用代码:双门HFMOSFET
- 总功率, Ptot:200mW
- 最小正向跨导 Gfs:21mA/V
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:12V
- 电流, Idss 最大:18mA
- 电流, Idss 最小:2mA