ON SEMICONDUCTOR - NCP1606BDR2G - 芯片 功率因子控制器 CR模式

ON SEMICONDUCTOR - NCP1606BDR2G - 芯片 功率因子控制器 CR模式
制造商：ON SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NCP1606BDR2G
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
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描述信息：
  • UVLO:2.5V
  • 启动电流:20μA
  • 工作电源电流:2.1mA
  • 封装形式:SOIC
  • 针脚数:8
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOIC
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:125°C
  • 功耗:450mW
  • 器件标号:1606
  • 控制器类型:功率因子
  • 电源电压 最大:20V
  • 电源电压 最小:10.9V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输入电压 最大:13.1V
  • 输入电流:2.1mA
  • 输出电流 最大:800mA
  • 输出类型:Totem Pole
产品属性：

重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • UVLO:2.5V
  • 启动电流:20μA
  • 工作电源电流:2.1mA
  • 封装形式:SOIC
  • 针脚数:8
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOIC
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:125°C
  • 功耗:450mW
  • 器件标号:1606
  • 控制器类型:功率因子
  • 电源电压 最大:20V
  • 电源电压 最小:10.9V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输入电压 最大:13.1V
  • 输入电流:2.1mA
  • 输出电流 最大:800mA
  • 输出类型:Totem Pole