RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM

RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM
制造商:RENESAS
库存编号:
制造商编号:2SJ218-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国164
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 271.32
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 271.32
25  - 99 CNY 200.33
100  - 249 CNY 170.06
250+  CNY 98.92

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描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-45A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:60W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 功率, Pd:60W
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 引脚节距:5.45mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-60V
  • 电流, Id 连续:45A
  • 电流, Idm 脉冲:180A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
  • 隔离电压:4kV
产品属性:

重量(公斤):0.006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-45A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.06ohm
  • 电压 @ Rds测量:-10V
  • 电压, Vgs 最高:-20V
  • 功耗:60W
  • 工作温度范围:-55oC to +150oC
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 功率, Pd:60W
  • 封装类型:TO-3PFM
  • 引脚节距:5.45mm
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
  • 电压, Vds 典型值:-60V
  • 电流, Id 连续:45A
  • 电流, Idm 脉冲:180A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
  • 隔离电压:4kV