VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8

VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET 双路 NN SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
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制造商编号：SI9926CDY-T1-E3
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描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:3.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:3.1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:Dual N
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.018ohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:3.1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SO
  • 封装类型:SO-8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:10ns
  • 功率, Pd:3.1W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V