ZETEX - ZXMD63C03X - 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8

ZETEX - ZXMD63C03X - 场效应管 MOSFET 双 NP MSOP8
制造商：ZETEX
库存编号：
制造商编号：ZXMD63C03X
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国596
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 26.52
价格：
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 26.52
25  - 99 CNY 20.17
100  - 499 CNY 13.87
500+  CNY 10.09

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描述信息：
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:2.3A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.25W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:MSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:MSOP8
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXM63C03
  • 功率, Pd:1.04W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 漏极连续电流, Id P沟道:2A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:10V
  • 电压, Vgs Rds P沟道:10V
  • 电流, Id 连续:2.3A
  • 电流, Idm 脉冲:14A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.135ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.185ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V
产品属性：

重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:NP
  • 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
  • 漏极电流, Id 最大值:2.3A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1.25W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:MSOP
  • 针脚数:8
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:MSOP8
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:ZXM63C03
  • 功率, Pd:1.04W
  • 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:1V
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道:1V
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 漏极连续电流, Id P沟道:2A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs Rds N沟道:10V
  • 电压, Vgs Rds P沟道:10V
  • 电流, Id 连续:2.3A
  • 电流, Idm 脉冲:14A
  • 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.135ohm
  • 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.185ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低:1V