FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS9953A - 场效应管 MOSFET 双 PP 逻辑电平 SO-8
制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:NDS9953A
库存状态:上海15, 新加坡2000, 英国5868
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 11.12
价格:
库存编号:
制造商编号:NDS9953A
库存状态:上海15, 新加坡2000, 英国5868
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 11.12
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 9 | CNY 11.12 |
10 - 99 | CNY 8.91 |
100 - 999 | CNY 6.86 |
1000+ | CNY 4.47 |
描述信息:
- 晶体管极性:P沟道(双)
- 漏极电流, Id 最大值:3.7A
- 电??, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:c
- SMD标号:NDS9953A
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.6W
- 排距:6.3mm
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:P沟道(双)
- 漏极电流, Id 最大值:3.7A
- 电??, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 外宽:4.05mm
- 外部深度:5.2mm
- 外部长度/高度:1.75mm
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:c
- SMD标号:NDS9953A
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.6W
- 排距:6.3mm
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-30V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 电流, Id 连续:2.9A
- 电流, Idm 脉冲:10A