NXP - PIP3202-DC - 场效应管 MOSFET N 智能型
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电??, Rds(on):0.04ohm
- 功耗:83.3W
- 封装类型:D2-PAK
- 封装类型:D2-PAK
- 引脚节距:1.27mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:保护MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 击穿电压, ESD:2.0kV
- 功率, Pd:83.3W
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:16A
- 输入电压, 最低:1.2V
- 输入电压, 最高:3.0V
产品属性:
重量(公斤):0.001
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 电压, Vds 最大:50V
- 开态电??, Rds(on):0.04ohm
- 功耗:83.3W
- 封装类型:D2-PAK
- 封装类型:D2-PAK
- 引脚节距:1.27mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:保护MOSFET
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 击穿电压, ESD:2.0kV
- 功率, Pd:83.3W
- 满功率温度:25°C
- 电流, Id 连续:16A
- 输入电压, 最低:1.2V
- 输入电压, 最高:3.0V