FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - NDS8958 - 双MOSFET NP SO-8
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：NDS8958
库存状态：上海 0 , 新加坡46, 英国1457
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.20
价格：
库存编号：
制造商编号：NDS8958
库存状态：上海 0 , 新加坡46, 英国1457
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 11.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 11.20 |
描述信息：
- 晶体管极性:N与P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:5.3A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:NDS8958
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.6W
- 功耗, N沟道 1:2W
- 功耗, P沟道 1:2W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:2.8V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:2.8V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):5.3A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds N沟道 1:30V
- 电压, Vds P沟道 1:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:15A
产品属性：
重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N与P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:5.3A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.065ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
- 功耗:2W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:NDS8958
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:1.6W
- 功耗, N沟道 1:2W
- 功耗, P沟道 1:2W
- 最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:2.8V
- 最低阈值电压, Vgs th P沟道:2.8V
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极连续电流, Id N沟道(1):5.3A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:30V
- 电压, Vds N沟道 1:30V
- 电压, Vds P沟道 1:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:15A