VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 双MOSFET NP SO-8

VISHAY SILICONIX - SI4559EY - 双MOSFET NP SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4559EY
库存状态：上海 0 , 新加坡29, 英国 0
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 22.63
价格：
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 22.63
25  - 99 CNY 20.48
100  - 249 CNY 16.98
250+  CNY 16.08

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描述信息：
  • 晶体管极性:N+P 沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.4W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 外宽:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部长度/高度:1.2mm
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • N沟道栅极电荷 Qg:19nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:2.4W
  • 最高电压, Vds P沟道:60V
  • 漏极连续电流, Id N沟道(1):4.5A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:60V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:3.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.055ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.075ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N+P 沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:4.5A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):0.1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:2.4W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 外宽:6.2mm
  • 外部深度:5.26mm
  • 外部长度/高度:1.2mm
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 结温, Tj 最低:-55°C
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • N沟道栅极电荷 Qg:19nC
  • P沟道栅极电荷 Qg:16nC
  • 功率, Pd:2.4W
  • 最高电压, Vds P沟道:60V
  • 漏极连续电流, Id N沟道(1):4.5A
  • 漏极连续电流, Id P沟道:3.1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds:60V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:3.1A
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.055ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.12ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.075ohm