NXP - PMGD8000LN - 场效应管 MOSFET 双 NN SOT-363

NXP - PMGD8000LN - 场效应管 MOSFET 双 NN SOT-363
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PMGD8000LN
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国4137
包装规格：1
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多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 2.02
价格：
数量 单位价格(不含税)
5  - 24 CNY 2.02
25  - 99 CNY 1.45
100+  CNY 0.99

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描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:125mA
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):8ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:0.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:7ns
  • 下降时间:7ns
  • 功率, Pd:0.2W
  • 时间, t off:15ns
  • 时间, t on:10ns
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:0.125A
  • 电流, Idm 脉冲:0.25A
  • 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性：

重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:125mA
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):8ohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:0.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上升时间:7ns
  • 下降时间:7ns
  • 功率, Pd:0.2W
  • 时间, t off:15ns
  • 时间, t on:10ns
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:0.125A
  • 电流, Idm 脉冲:0.25A
  • 通态电阻, Rds on 最大:8ohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V