NXP - PHKD6N02LT - 场效应管 MOSFET N SO-8

NXP - PHKD6N02LT - 场效应管 MOSFET N SO-8
制造商：NXP
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制造商编号：PHKD6N02LT
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描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):20mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:4.17W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 外宽:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部长度/高度:1.75mm
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:PHKD6N02LT
  • 功率, Pd:4.17W
  • 排距:6.3mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:10.9A
  • 电流, Idm 脉冲:44A
产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):20mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 功耗:4.17W
  • 封装类型:SOIC
  • 针脚数:8
  • 外宽:4.05mm
  • 外部深度:5.2mm
  • 外部长度/高度:1.75mm
  • 封装类型:SOIC
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:PHKD6N02LT
  • 功率, Pd:4.17W
  • 排距:6.3mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:10.9A
  • 电流, Idm 脉冲:44A