NXP - PMWD16UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.019ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- SMD标号:16UN
- 功率, Pd:3.1W
- 器件标号:4
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电容值, Ciss 典型值:1366pF
- 电流, Id 连续:9.9A
- 电流, Idm 脉冲:39.5A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm
产品属性:
重量(公斤):0.00003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N Channel
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.019ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
- SMD标号:16UN
- 功率, Pd:3.1W
- 器件标号:4
- 电压, Vgs 最高:10V
- 电容值, Ciss 典型值:1366pF
- 电流, Id 连续:9.9A
- 电流, Idm 脉冲:39.5A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.03ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.019ohm