NXP - PMWD26UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8

NXP - PMWD26UN - 场效应管 MOSFET N TSSOP-8
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PMWD26UN
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国2329
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.20
价格：
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描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.03ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD标号:26UN
  • 功率, Pd:3.1W
  • 器件标号:4
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电容值, Ciss 典型值:1366pF
  • 电流, Id 连续:7.8A
  • 电流, Idm 脉冲:31.3A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm
产品属性：

重量（公斤）：0.00003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):0.03ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:0.7V
  • 封装类型:TSSOP
  • 封装类型:TSSOP
  • 晶体管数:2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • SMD标号:26UN
  • 功率, Pd:3.1W
  • 器件标号:4
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电容值, Ciss 典型值:1366pF
  • 电流, Id 连续:7.8A
  • 电流, Idm 脉冲:31.3A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V:0.04ohm
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.03ohm