最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

• 0.6V
• 2.8V
• 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

• 0.8V
• 1V
• 2.8V

最高电压, Vds P沟道

• 60V
• 30V

总功率, Ptot

• 1.25W
• 1.8W

针脚配置

• S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
• c
• D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
• 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
• D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

• 5
• 6
• 8

阈值电压, Vgs th 典型值

• 3.3V
• -700mV
• 4V
• -1.5V
• 1.5V
• -1.6V
• 1.6V
• 1.9V
• 2.5V
• 2.2V
• 1.3V
• 1.1V
• 1V
• -1V
• 1.8V
• 3V
• 1.7V
• 0.45V
• 0.8V
• 0.7V
• 1.4V
• 1.2V
• 2.6V
• 0.6V
• 2V
• 0.9V
• -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

• 0.8V
• 2.5V
• -1V
• 1V
• 0.7V
• 1.5V
• 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

• 2V
• 1.7V
• 100V
• 0.5V
• -1.5V
• 1.5V
• 2.35V
• 3V

芯片封装类型

• A
• B

外宽

• 4.05mm
• 6.2mm
• 40.5mm

外部深度

• 5.26mm
• 28mm
• 5.2mm

外部长度/高度

• 1.2mm
• 1.75mm
• 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

• 0.035ohm
• 0.0285ohm
• 0.03ohm
• 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

• 0.03ohm
• 0.028ohm
• 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

• 0.055ohm
• 0.04ohm
• 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

• 0.054ohm
• 0.053ohm
• 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

• 0.023ohm
• 0.019ohm
• 0.045ohm
• 0.0185ohm
• 0.03ohm
• 0.025ohm
• 0.033ohm
• 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

• 0.053ohm
• 0.045ohm
• 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

• 0.09ohm
• 0.072ohm